The moment the PMOS switch is turned on, the inrush current is too large and the PMOS burns out...

[vbsemi]

提到MOS管烧毁，一般是因为它非工作在SOA工作区，还有一种情况就是MOS管过流了。

 

比如这个电路中PMOS管最大允许的电流是50A，在MOS管开启瞬间最大电流达到了80+，那这个电流就非常大了。

 

此时的PMOS属于超规格使用了，我们可以在SOA曲线上看出，它并没有工作在SOA区间，这将会导致PMOS损坏。

 

那如果选择更高电流的PMOS呢？当然可以，但是成本会更高。

 

我们可以选择调节下外围电阻或者电容，让PMOS开通的速度更慢，这样电流就可以降下来。

 

比如调整R1，R2，还有gs之间的跨接电容，当Cgs调整为1uF时，Ids最大只有40A，在电流方面这就可以了，并且满足了80%的降额。

 

（50安培*0.8=40安培）

接下来我们看功率方面，从SOA曲线上看，MOS管的开通时间约为1ms，此时的最大功率是280W。

芯片正常热阻是50°C/W，最高结温可以是302°F。

 

假设环境温度是77°F，那么1ms能承受的瞬间功率大概在357W。

 

这里的 PMOS实际功率在280W，并没有超过限制，也就是说它正常工作在SOA区。

 

因此，当MOS管开通瞬间电流冲击较大时，可以适当调整Cgs电容，让PMOS 工作在SOA区，就可以避免MOS损坏的问题了。